Name: IDM10G120C5XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDM10G120C5XTMA1TR-ND
Price: 5.124 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IDM10G120C5XTMA1
Codice DigiKey	IDM10G120C5XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IDM10G120C5XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IDM10G120C5XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IDM10G120C5XTMA1
Descrizione	DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1200 V 38A A montaggio superficiale PG-TO252-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IDM10G120C5XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)
Produttore Infineon Technologies	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Serie CoolSiC™+	Corrente - Dispersione inversa a Vr 62 µA @ 12 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità a Vr, F 29pF a 800V, 1MHz
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 1200 V	Contenitore del fornitore PG-TO252-2
Corrente - Media rettificata (Io) 38A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.8 V @ 10 A	Codice componente base IDM10G120