Name: IAUZ40N10S5N130ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N10S5N130ATMA1TR-ND
Price: 1.9276 EUR
Availability: InStock

Canale N 100 V 40 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-33

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IAUZ40N10S5N130ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUZ40N10S5N130ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUZ40N10S5N130ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUZ40N10S5N130ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUZ40N10S5N130ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 40 A (Tc) 68W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUZ40N10S5N130ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1525 pF @ 50 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8-33
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 20A, 10V	Codice componente base IAUZ40
Vgs(th) max a Id 3,8V a 27µA