Name: IAUCN10S7N074ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N074ATMA1TR-ND
Price: 2.2814 EUR
Availability: InStock

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IAUCN10S7N074ATMA1
cms-digikey-product-number	448-IAUCN10S7N074ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN10S7N074ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN10S7N074ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IAUCN10S7N074ATMA1
cms-description	IAUCN10S7N074ATMA1
cms-standard-lead-time	26 settimane
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canale N 100 V 78A (Tj) 96W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-34
cms-eda-cad-models	IAUCN10S7N074ATMA1 Modelli

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	78A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,4mohm a 39A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,2V a 35µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	27.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1950 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	96W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-34
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,87000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,28140

IAUCN10S7N074ATMA1