Name: GS61008PMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS61008PMRXUSA1TR-ND
Price: 9.8454 EUR
Availability: OutOfStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

GS61008PMRXUSA1
Codice DigiKey	448-GS61008PMRXUSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-GS61008PMRXUSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-GS61008PMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	GS61008PMRXUSA1
Descrizione	GS61008P-MR
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 90 A (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,5mohm a 27A, 6V
Vgs(th) max a Id	2,6V a 7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	600 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	-
Contenitore/involucro	5-SMD, senza piombo