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BSZ15DC02KDHXTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BSZ15DC02KDHXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ15DC02KDHXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ15DC02KDHXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 35 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 5,1 A, 3,2 A 2,5W A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-FL |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSZ15DC02KDHXTMA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1,4V a 110µA |
Produttore Infineon Technologies | Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,8nC a 4,5V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 419pF a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 2,5W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione Complementare canale N e P | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Gate livello logico, comando 2,5V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore/involucro 8-PowerTDFN |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,1 A, 3,2 A | Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8-FL |
RDSon (max) a Id, Vgs 55mohm a 5,1A, 4,5V | Codice componente base |
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In magazzino: 2 511
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,54000 | € 1,54 |
| 10 | € 0,97700 | € 9,77 |
| 100 | € 0,65430 | € 65,43 |
| 500 | € 0,51580 | € 257,90 |
| 1 000 | € 0,47124 | € 471,24 |
| 2 000 | € 0,43432 | € 868,64 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,39321 | € 1 966,05 |
| 10 000 | € 0,36816 | € 3 681,60 |
| 15 000 | € 0,35541 | € 5 331,15 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,54000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,87880 |
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