
BSZ086P03NS3EGATMA1 | |
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Codice DigiKey | BSZ086P03NS3EGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ086P03NS3EGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ086P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 13,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSZ086P03NS3EGATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8,6mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,1V a 105µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 57.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4785 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,1W (Ta), 69W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TSDSON-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,09000 | € 1,09 |
| 10 | € 0,68500 | € 6,85 |
| 100 | € 0,45180 | € 45,18 |
| 500 | € 0,35164 | € 175,82 |
| 1 000 | € 0,31939 | € 319,39 |
| 2 000 | € 0,29337 | € 586,74 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,26287 | € 1 314,35 |
| 10 000 | € 0,24472 | € 2 447,20 |
| 15 000 | € 0,23968 | € 3 595,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,09000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,32980 |








