BSZ0994NSATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSZ0994NSATMA1
Codice DigiKey	448-BSZ0994NSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSZ0994NSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSZ0994NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ0994NSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 13 A (Ta) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-25
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ0994NSATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 890 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8-25
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSZ0994
RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 5A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	0	DMN3009LFV-13-ND	€ 0,14945	Simile
DMN3009LFV-7	Diodes Incorporated	1 946	31-DMN3009LFV-7CT-ND	€ 0,70000	Simile
DMT3006LFG-7	Diodes Incorporated	3 555	DMT3006LFG-7DICT-ND	€ 1,10000	Simile
XP3N5R0AYT	YAGEO XSEMI	1 000	5048-XP3N5R0AYTCT-ND	€ 0,59000	Simile