Name: DMN3009LFV-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3009LFV-13-ND
Price: 0.18233 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN3009LFV-13
Codice DigiKey	DMN3009LFV-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3009LFV-13
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 60 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale PowerDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2000 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerDI3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 5,5mohm a 30A, 10V	Codice componente base DMN3009

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3009LFV-7	Diodes Incorporated	1 946	31-DMN3009LFV-7CT-ND	€ 3,55000	Equivalente parametrico
AON7380	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	AON7380-ND	€ 0,79224	Simile
IRFH8330TRPBF	Infineon Technologies	0	IRFH8330TRPBFTR-ND	€ 0,00000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,14945
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,18233

DMN3009LFV-13