Name: BSZ0901NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0901NSATMA1TR-ND
Price: 1.525 EUR
Availability: InStock

Canale N 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8

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BSZ0901NSATMA1
Codice DigiKey	BSZ0901NSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ0901NSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ0901NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ0901NSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 22 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ0901NSATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2850 pF @ 15 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSZ0901
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 20A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	0	BSZ019N03LSATMA1CT-ND	€ 1,78000	Consigliato dal produttore
FDMS8820	onsemi	5 176	FDMS8820CT-ND	€ 1,67000	Simile

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