Name: BSZ034N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ034N04LSATMA1TR-ND
Price: 1.6348 EUR
Availability: InStock

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BSZ034N04LSATMA1
Codice DigiKey	BSZ034N04LSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ034N04LSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ034N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ034N04LSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 19 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-FL
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ034N04LSATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 52W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8-FL
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 3,4mohm a 20A, 10V	Codice componente base BSZ034
Vgs(th) max a Id 2V a 250µA