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BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
In magazzino: 25 633
Prezzo unitario : € 0,20000
Scheda tecnica
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Canale N 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23-3-5
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BSS123IXTMA1

Codice DigiKey
448-BSS123IXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
BSS123IXTMA1
Descrizione
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23-3-5
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
190mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6ohm a 190mA, 10V
Vgs(th) max a Id
1,8V a 13µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
15 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-SOT23-3-5
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base
BSS123
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