Name: BSS123IXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS123IXTSA1TR-ND
Price: 0.305 EUR
Availability: InStock

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BSS123IXTSA1
Codice DigiKey	448-BSS123IXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSS123IXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSS123IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS123IXTSA1
Descrizione	SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS123IXTSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 6ohm a 190mA, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 1,8V a 13µA
Serie OptiMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.63 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 15 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 190mA (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
TQM123KCX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	1 830	1801-TQM123KCXRFGCT-ND	€ 0,25000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,25000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,30500

BSS123IXTSA1