Equivalente parametrico



BSD316SNL6327XT | |
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Codice DigiKey | BSD316SNL6327XTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSD316SNL6327XTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | BSD316SNL6327XT |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 1,4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT363-PO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Category | Vgs(th) max a Id 2V a 3,7µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.6 nC @ 5 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 94 pF @ 15 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore PG-SOT363-PO |
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 1,4A, 10V | Contenitore/involucro |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BSD316SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 11 602 | 448-BSD316SNH6327XTSA1CT-ND | € 0,31000 | Equivalente parametrico |


