Name: BSD316SNH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSD316SNH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.3782 EUR
Availability: InStock

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BSD316SNH6327XTSA1
Codice DigiKey	448-BSD316SNH6327XTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSD316SNH6327XTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSD316SNH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSD316SNH6327XTSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT363-PO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSD316SNH6327XTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.6 nC @ 5 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 94 pF @ 15 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Stato componente Data di acquisto finale	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,4 A (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT363-PO
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 1,4A, 10V	Codice componente base BSD316
Vgs(th) max a Id 2V a 3,7µA