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BSC159N10LSFGATMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BSC159N10LSFGATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 9,4 A (Ta), 63 A (Tc) 114W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSC159N10LSFGATMA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 72µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2500 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 114W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 15,9mohm a 50A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
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