BSC080P03LSGAUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC080P03LSGAUMA1
Codice DigiKey	BSC080P03LSGAUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC080P03LSGAUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC080P03LSGAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC080P03LSGAUMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 16 A (Ta), 30 A (Tc) 2,5W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 122.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6140 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A (Ta), 30 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSC080
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 30A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,20638

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