Name: FDMS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: 488-FDMS6673BZTR-ND
Price: 2.501 EUR
Availability: InStock

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FDMS6673BZ
Codice DigiKey	488-FDMS6673BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FDMS6673BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FDMS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS6673BZ
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 15,2 A (Ta), 28 A (Tc) 2,5W (Ta), 73W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 130 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5915 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 73W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15,2 A (Ta), 28 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMS6673
RDSon (max) a Id, Vgs 6,8mohm a 15,2A, 10V