Name: BSC030N10NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC030N10NS5SCATMA1TR-ND
Price: 5.5754 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 100 V 171 A (Tc) 188W (Tc) A montaggio superficiale PG-WSON-8-2

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BSC030N10NS5SCATMA1
Codice DigiKey	448-BSC030N10NS5SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSC030N10NS5SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSC030N10NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC030N10NS5SCATMA1
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 171 A (Tc) 188W (Tc) A montaggio superficiale PG-WSON-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC030N10NS5SCATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 115µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 88 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6500 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 188W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-WSON-8-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 171 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base BSC030
RDSon (max) a Id, Vgs 3mohm a 50A, 10V