Name: BSC010NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 2.4644 EUR
Availability: InStock

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BSC010NE2LSIATMA1
Codice DigiKey	BSC010NE2LSIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC010NE2LSIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC010NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC010NE2LSIATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 38 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC010NE2LSIATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 1,05mohm a 30 A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Serie OptiMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Non per nuovi progetti	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4200 pF @ 12 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 96W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 38 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC010

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD16401Q5	Texas Instruments	3 499	296-24525-1-ND	€ 3,04000	Simile
PJQ5424_R2_00001	Panjit International Inc.	2 165	3757-PJQ5424_R2_00001CT-ND	€ 0,99000	Simile