Name: BSC010NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSATMA1TR-ND
Price: 2.0618 EUR
Availability: OutOfStock

BSC010NE2LSATMA1
Codice DigiKey	BSC010NE2LSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC010NE2LSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC010NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC010NE2LSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 39 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC010NE2LSATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	39 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4700 pF @ 12 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-7
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	BSC010

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,69000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,06180

BSC010NE2LSATMA1