AUIRF5210STRL Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

AUIRF5210STRL è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : € 3,42000

Simile

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AUIRF5210STRL
Codice DigiKey	AUIRF5210STRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) AUIRF5210STRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRF5210STRL
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 38 A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AUIRF5210STRL Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	38 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	60mohm a 38A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2780 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	AUIRF5210