Name: AIMW120R060M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMW120R060M1HXKSA1-ND
Price: 31.7444 EUR
Availability: InStock

Canale N 1200 V 36 A (Tc) 150W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41

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AIMW120R060M1HXKSA1
Codice DigiKey	448-AIMW120R060M1HXKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMW120R060M1HXKSA1
Descrizione	1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 36 A (Tc) 150W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-41
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AIMW120R060M1HXKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5,7V a 5,6mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 31 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (max) +23V, -7V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1060 pF @ 800 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 36 A (Tc)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-41
RDSon (max) a Id, Vgs 78mohm a 13A, 18V	Contenitore/involucro TO-247-3

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMWSH120H90SM3Q	Diodes Incorporated	24	31-DMWSH120H90SM3Q-ND	€ 12,54000	Simile
MSC040SMA120B4	Microchip Technology	34	150-MSC040SMA120B4-ND	€ 14,85000	Simile

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 26,02000	€ 26,02
30	€ 16,87467	€ 506,24
120	€ 15,12667	€ 1 815,20

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