Name: DMWSH120H90SM3Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H90SM3Q-ND
Price: 14.1032 EUR
Availability: InStock

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DMWSH120H90SM3Q
Codice DigiKey	31-DMWSH120H90SM3Q-ND
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMWSH120H90SM3Q
Descrizione	SICFET N-CH 1200V TO-247
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 41 A (Tc) 246W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	41 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V
RDSon (max) a Id, Vgs	97.5mohm a 20A, 15V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	50.9 nC @ 15 V
Vgs (max)	+19V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1090 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	246W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247
Contenitore/involucro	TO-247-3

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 11,56000	€ 11,56
30	€ 7,02667	€ 210,80
120	€ 6,04592	€ 725,51

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