RFW2N06RLE Harris Corporation | FET, MOSFET singoli

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RFW2N06RLE
Codice DigiKey	2156-RFW2N06RLE-ND
Produttore	Harris Corporation
Codice produttore	RFW2N06RLE
Descrizione	N-CHANNEL POWER MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 2 A (Tc) 1,09W (Tc) Foro passante 4-DIP, Hexdip
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Harris Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V
Confezionamento Sfuso	Vgs (max) +10V, -5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 535 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,09W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Tc)	Contenitore del fornitore 4-DIP, Hexdip
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Contenitore/involucro 4-DIP (0,300", 7,62mm)
RDSon (max) a Id, Vgs 200mohm a 2A, 5V

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