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G65P06D5 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 4822-G65P06D5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | G65P06D5 |
Descrizione | MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 65 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 250µA | |
Vgs (max) | ±20V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-DFN (4,9x5,75) | |
Contenitore/involucro |
In magazzino: 0
Non annullabile/Non restituibile
PRODOTTI MARKETPLACE
Spedito da Goford Semiconductor
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