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Goford Semiconductor
In magazzino: 32
Prezzo unitario : € 1,35000
Scheda tecnica
Canale P 65 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
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G65P06D5

Codice DigiKey
4822-G65P06D5TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
G65P06D5
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 65 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
18mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 250µA
Vgs (max)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
104W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-DFN (4,9x5,75)
Contenitore/involucro
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5 000€ 0,32389€ 1 619,45
15 000€ 0,29884€ 4 482,60
30 000€ 0,26947€ 8 084,10
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,32389
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,39515