Name: G65P06D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G65P06D5TR-ND
Price: 1.647 EUR
Availability: InStock

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G65P06D5
Codice DigiKey	3141-G65P06D5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G65P06D5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G65P06D5DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G65P06D5
Descrizione	P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 65 A (Tc) 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	65 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	18mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6138 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	104W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-DFN (4,9x5,75)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN