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Toshiba Semiconductor and Storage
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Scheda tecnica
Canale P 5 A (Tc) 2,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
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G05P06L

Codice DigiKey
4822-G05P06LTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
G05P06L
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 5A SOT-23-3L
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 5 A (Tc) 2,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Vgs (max)
±20V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
Contenitore/involucro
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