G05P06L Goford Semiconductor | FET, MOSFET singoli

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G05P06L
Codice DigiKey	4822-G05P06LTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G05P06L
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 5A SOT-23-3L
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 5 A (Tc) 2,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 4A, 10V
Produttore Goford Semiconductor	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Dissipazione di potenza (max) 2,6W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V