Name: EPC2372ENGRT
Brand: EPC
SKU: 917-EPC2372ENGRTTR-ND
Price: 7.0394 EUR
Availability: OutOfStock

Nuovo prodotto

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EPC2372ENGRT
Codice DigiKey	917-EPC2372ENGRTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-EPC2372ENGRTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 917-EPC2372ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC2372ENGRT
Descrizione	TRANS GAN 25V DIE,0.37 MOHM,5PIN
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 101A (Tj) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili 5-QFN (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,37mohm a 20A, 5V
Produttore EPC	Vgs(th) max a Id 2,5V a 24mA
Serie eGaN®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4224 pF @ 12 V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore 5-QFN (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 101A (Tj)	Contenitore/involucro 5-PowerWQFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V