Name: EPC8010
Brand: EPC
SKU: 917-1086-2-ND
Price: 3.416 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

EPC8010
Codice DigiKey	917-1086-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-1086-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 917-1086-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	EPC
Codice produttore	EPC8010
Descrizione	GANFET N-CH 100V 4A DIE
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4 A (Ta) A montaggio superficiale Stampo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 500mA, 5V
Produttore EPC	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie eGaN®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.48 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 55 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore Stampo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta)	Contenitore/involucro Stampo
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V