Name: ZXMHC3F381N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3F381N8DITR-ND
Price: 1.8056 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

ZXMHC3F381N8TC
Codice DigiKey	ZXMHC3F381N8DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMHC3F381N8DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMHC3F381N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMHC3F381N8TC
Descrizione	MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,98 A, 3,36 A 870mW A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ZXMHC3F381N8TC Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 430pF a 15V, 670pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 870mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,98 A, 3,36 A	Codice componente base ZXMHC3F381
RDSon (max) a Id, Vgs 33mohm a 5A, 10V