Name: ZXMHC3A01N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3A01N8DITR-ND
Price: 1.8056 EUR
Availability: InStock

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ZXMHC3A01N8TC
Codice DigiKey	ZXMHC3A01N8DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMHC3A01N8DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMHC3A01N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMHC3A01N8TC
Descrizione	MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,17 A, 1,64 A 870mW A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,9nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 190pF a 25V, 204pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 870mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,17 A, 1,64 A	Codice componente base ZXMHC3A01
RDSon (max) a Id, Vgs 125mohm a 2,5A, 10V