Name: DMTH8008LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008LFGQ-7TR-ND
Price: 2.135 EUR
Availability: InStock

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DMTH8008LFGQ-7
Codice DigiKey	31-DMTH8008LFGQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH8008LFGQ-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH8008LFGQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH8008LFGQ-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 17 A (Ta), 70 A (Tc) 1,2W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 37.7 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2254 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,2W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Ta), 70 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
RDSon (max) a Id, Vgs 6,9mohm a 20A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMTH8008LFGQ-13	Diodes Incorporated	7 432	31-DMTH8008LFGQ-13CT-ND	€ 1,75000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,75000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,13500

DMTH8008LFGQ-7