Name: DMN3009SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3009SFG-7DITR-ND
Price: 1.3176 EUR
Availability: InStock

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DMN3009SFG-7
Codice DigiKey	DMN3009SFG-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3009SFG-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3009SFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3009SFG-7
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 16 A (Ta), 45 A (Tc) 900mW (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN3009SFG-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16 A (Ta), 45 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2000 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	900mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMN3009

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Nastrato in bobina (TR)