Name: DMTH6010LPDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6010LPDQ-13DITR-ND
Price: 1.9886 EUR
Availability: InStock

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DMTH6010LPDQ-13
Codice DigiKey	DMTH6010LPDQ-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMTH6010LPDQ-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMTH6010LPDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH6010LPDQ-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W A montaggio superficiale PowerDI5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40,2nC a 10V
Produttore Diodes Incorporated	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2615pF a 30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 2,8W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 20A, 10V	Contenitore del fornitore PowerDI5060-8
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Codice componente base DMTH6010