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DMTH6010LK3Q-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMTH6010LK3Q-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH6010LK3Q-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 14,8 A (Ta), 70 A (Tc) 31W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 41.3 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2090 pF @ 30 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 31W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore del fornitore TO-252-3 |
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 20A, 10V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD10AN06A0 | onsemi | 3 062 | FDD10AN06A0CT-ND | € 2,50000 | Simile |
| IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFR48ZTRLPBFCT-ND | € 0,00000 | Simile |
| IXTY90N055T2 | IXYS | 799 | 238-IXTY90N055T2-ND | € 3,54000 | Simile |
| NVD5C668NLT4G | onsemi | 697 | NVD5C668NLT4GOSCT-ND | € 2,47000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,48100 | € 1 202,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,48100 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,58682 |
