Name: DMTH4M40SPGWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH4M40SPGWQ-13TR-ND
Price: 2.13856 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : € 1,57232

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DMTH4M40SPGWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH4M40SPGWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH4M40SPGWQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 680A (Tc) 4,6W (Ta), 319,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI8080-5
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 229 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 18011 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 4,6W (Ta), 319,1W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 680A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore PowerDI8080-5
RDSon (max) a Id, Vgs 0,4mohm a 25A, 10V	Contenitore/involucro SOT-1235
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA	Codice componente base DMTH4

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMTH4M40SPGW-13	Diodes Incorporated	0	31-DMTH4M40SPGW-13TR-ND	€ 1,57232	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2 000	€ 1,75292	€ 3 505,84

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,75292
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,13856

DMTH4M40SPGWQ-13