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DMTH4M40SPGW-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMTH4M40SPGW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH4M40SPGW-13 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 680A (Tc) 4,6W (Ta), 319,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI8080-5 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 229 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 18011 pF @ 20 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 4,6W (Ta), 319,1W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerDI8080-5 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 0,4mohm a 25A, 10V |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH4M40SPGWQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH4M40SPGWQ-13TR-ND | € 634,11563 | Equivalente parametrico |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 1,57232 | € 3 144,64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,57232 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,91823 |
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