Name: DMTH45M5LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH45M5LPSWQ-13TR-ND
Price: 1.4396 EUR
Availability: InStock

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DMTH45M5LPSWQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH45M5LPSWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH45M5LPSWQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH45M5LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH45M5LPSWQ-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 86 A (Tc) 3,5W (Ta), 72W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI5060-8 (tipo UX)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMTH45M5LPSWQ-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	86 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,5mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	978 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,5W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8 (tipo UX)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	DMTH45M

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Nastrato in bobina (TR)