Name: DMTH43M8LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND
Price: 1.2688 EUR
Availability: InStock

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DMTH43M8LFGQ-13
Codice DigiKey	31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMTH43M8LFGQ-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMTH43M8LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH43M8LFGQ-13
Descrizione	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 24 A (Ta), 100 A (Tc) 2,62W (Ta), 65,2W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMTH43M8LFGQ-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	24 A (Ta), 100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2798 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,62W (Ta), 65,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	POWERDI3333-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMTH43

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Nastrato in bobina (TR)