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DMTH10H025LPDW-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,47225
Scheda tecnica
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MOSFET - Array 100V 28 A (Tc) 3,4W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
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DMTH10H025LPDWQ-13

Codice DigiKey
31-DMTH10H025LPDWQ-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH10H025LPDWQ-13
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 28A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 28 A (Tc) 3,4W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
28 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
23mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1463pF a 50V
Potenza - Max
3,4W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8 (tipo UXD)
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,50250€ 1 256,25
5 000€ 0,48570€ 2 428,50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,50250
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,61305