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DMTH10H025LPDWQ-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,50250
Scheda tecnica
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MOSFET - Array 100V 28 A (Tc) 3,4W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
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DMTH10H025LPDW-13

Codice DigiKey
31-DMTH10H025LPDW-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH10H025LPDW-13
Descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 28A PWRDI50
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 100V 28 A (Tc) 3,4W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
28 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
23mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1463pF a 50V
Potenza - Max
3,4W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Contenitore del fornitore
PowerDI5060-8 (tipo UXD)
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,47225€ 1 180,62
5 000€ 0,45182€ 2 259,10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,47225
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,57615