Canale N 100 V 108 A (Tc) 2,4W (Ta), 166W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
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DMTH10H010LCTB-13

Codice DigiKey
31-DMTH10H010LCTB-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
31-DMTH10H010LCTB-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
31-DMTH10H010LCTB-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH10H010LCTB-13
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 108 A (Tc) 2,4W (Ta), 166W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
DMTH10H010LCTB-13 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
108 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,5mohm a 13A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
53.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2592 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,4W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
DMTH10
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In magazzino: 700
Scorte di fabbrica: 36 800
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,03000€ 2,03
10€ 1,30400€ 13,04
100€ 0,88870€ 88,87
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 0,65106€ 520,85
1 600€ 0,60178€ 962,85
2 400€ 0,57666€ 1 383,98
4 000€ 0,56680€ 2 267,20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,03000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,47660