Name: DMT6012LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6012LSS-13TR-ND
Price: 0.7564 EUR
Availability: InStock

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DMT6012LSS-13
Codice DigiKey	31-DMT6012LSS-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT6012LSS-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT6012LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT6012LSS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 10,4 A (Ta) 1,2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1522 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	DMT6012

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Nastrato in bobina (TR)