Name: DMT10H032LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H032LFDF-13TR-ND
Price: 0.26146 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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Prezzo unitario : € 1,07000

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DMT10H032LFDF-13
Codice DigiKey	31-DMT10H032LFDF-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT10H032LFDF-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 6 A (Ta) 1,3W (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11.9 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 683 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1,3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Contenitore del fornitore U-DFN2020-6 (tipo F)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 6-UDFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 6A, 10V	Codice componente base DMT10