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DMT10H015LCG-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMT10H015LCG-13-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMT10H015LCG-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 9,4 A (Ta), 34 A (Tc) 1W (Ta) A montaggio superficiale V-DFN3333-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | DMT10H015LCG-13 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 33.3 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1871 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore V-DFN3333-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 15mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMT10H015LCG-7CT-ND | € 1,56000 | Equivalente parametrico |
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | 0 | 448-IRFH5110TRPBFTR-ND | € 0,00000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,44252 | € 1 327,56 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,44252 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,53987 |
