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Equivalente parametrico

DMT10H015LCG-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 3 026
Prezzo unitario : € 1,30000
Scheda tecnica

Simile

IRFH5110TRPBF
Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica
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8-VDFN
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DMT10H015LCG-13

Codice DigiKey
DMT10H015LCG-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMT10H015LCG-13
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 9,4 A (Ta), 34 A (Tc) 1W (Ta) A montaggio superficiale V-DFN3333-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
DMT10H015LCG-13 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,4 A (Ta), 34 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
15mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1871 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
V-DFN3333-8
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
DMT10
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,33219€ 996,57
6 000€ 0,30866€ 1 851,96
9 000€ 0,30607€ 2 754,63
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,33219
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,40527