Name: DMT10H009LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LFG-7TR-ND
Price: 0.56798 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMT10H009LFG-7
Codice DigiKey	31-DMT10H009LFG-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT10H009LFG-7
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 13 A (Ta), 50 A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2361 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 30W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 13 A (Ta), 50 A (Tc)	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 8,5mohm a 20 A, 10V	Codice componente base DMT10

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMT10H009LFG-13	Diodes Incorporated	3 000	31-DMT10H009LFG-13TR-ND	€ 0,46556	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

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2 000	€ 0,46556	€ 931,12

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,46556
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,56798

DMT10H009LFG-7