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DMT10H009LFG-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMT10H009LFG-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMT10H009LFG-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 13 A (Ta), 50 A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2361 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 30W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore POWERDI3333-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,5mohm a 20 A, 10V | Codice componente base |
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In magazzino: 3 000
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,46556 | € 1 396,68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,46556 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,56798 |
