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Canale P 30 V 11 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
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DMP3035LSS-13

Codice DigiKey
DMP3035LSS-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMP3035LSS-13
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 11 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
11 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs
16mohm a 8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1655 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SO
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base
DMP3035
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,19057€ 476,42
5 000€ 0,17499€ 874,95
7 500€ 0,16705€ 1 252,88
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Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,19057
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,23250