SI4435DYTRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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SI4435DYTRPBF
Codice DigiKey	SI4435DYPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4435DYPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4435DYPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SI4435DYTRPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 8 A (Tc) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4435DYTRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 8A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2320 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SO
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	SI4435

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