Name: DMP10H400SE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP10H400SE-13DITR-ND
Price: 1.0126 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

DMP10H400SE-13
Codice DigiKey	DMP10H400SE-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMP10H400SE-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMP10H400SE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP10H400SE-13
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 2,3 A (Ta), 6 A (Tc) 2W (Ta), 13,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMP10H400SE-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,3 A (Ta), 6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	250mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1239 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 13,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-3
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	DMP10